Shenzhen Best LED Opto-electronic Co., Ltd tilbyr typer LED med forskjellig bølgelengde fra 365 nm til 1550 nm. For infrarød LED, kan bølgelengden være: 660nm 680nm 690 nm 700nm 710nm 720nm 730nm 740nm 750nm 760nm 770nm 780nm 800nm 810nm 820nm 830nm 850nm 860nm 870nm 880nm 890nm 900nm 905nm 910nm 920nm 940nm 950nm 970nm 980nm 1000nm 1020nm 1050nm 1200nm 1300nm 1500nm 1550nm. For UV LED kan bølgelengden være 365 nm 370 nm 380 nm 390 nm 400 nm 410 nm 420 nm 430 nm osv. Andre bølgelengder er også tilgjengelig som er laget av AlGaAs / AlGaAs infrarød chip. Disse LED-ene har en stabil ytelse og lang levetid. 3528 SMD LED 750 er en høyeffektiv infrarød emitterende diode i GaAlAs på GaAs-teknologi, støpt i klare, hvite, klare fargede plastpakker. Sammenlignet med standard GaAs på GaAs-teknologi oppnår disse emitterne mer enn 100% forbedring av stråleeffekt ved en lignende bølgelengde. Fremspenningene ved lav strøm og med høy pulsstrøm tilsvarer omtrent de lave verdiene til standardteknologien. Derfor er disse emitterne ideelt egnet som erstatning for høye ytelser av standard emittere. Rød flekk infrarød LED bølgelengde toleranse er ± 10 nm. IR-par

- Dimensjonsparametere -

Disse SMD LED-tilfellene er også tilgjengelige for IR LED, UV LED, Blue SMD LED, Red SMD LED, Amber LED ect.

- Avgir farge -

- Elektriske parametere -

Absolutte maksimale rangeringer ved Ta = 25 ℃

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	270mW
Pulse Forward Current	IFP	350mA
Forward Current	IF	100mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	2000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Optiske og elektriske egenskaper ( T c = 25 ℃ )

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	2.2		2.7	V	IF=100mA
Pulse Forward Voltage	VF		3.6		V	IFP=350mA
Radiant Intensity	IE	50		70	mw/sr	IF=100mA
Peak Wavelength	λP	750	755	760	nm	IF=100mA
Total Radiated Power	PO		5.6		mw	IF=100mA
Half Width	Dl		50		nm	IF=100mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=100mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
Rise Time	Tr		25		ns	IF=100mA
Fall Time	Tf		13		ns	IF=100mA
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- 750nm LED -

- Golden Wire Connection -

* For å holde hver eneste av LEDs lange levetid, bruker BestLED-fabrikken høy, rent gulltråd for tilkobling på innsiden

- Pakking -

* Vi pakker den med vakuumpakking etter teip som en spole

-Applikasjon-

- Relatert IR-LED -

- 750nm LED-bruk -